型号:IDT70V631S10BF | 类别:存储器 | 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc |
封装:208-LFBGA | 描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA |
系列 | - |
制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
格式_存储器 | RAM |
存储器类型 | SRAM - 双端口,异步 |
存储容量 | 4.5M(256K x 18) |
速度 | 10ns |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 3.15 V ~ 3.45 V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
封装/外壳 | 208-LFBGA |
供应商器件封装 | 208-CABGA(15x15) |
包装 | 托盘 |
供应商
HECC GROUP CO,LIMITED | 蔡小姐/吴小姐/钱先生/朱先生086-755-88608527(高端电子元件渠道商)/83950895/83950890 |
HECC GROUP CO,LIMITED | 朱先生086-755-83950890(高端元件渠道商)/83950019/83950895 |
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深圳市赛尔通科技有限公司 | 李先生086-0755-83663430 |
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北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
中科航芯(深圳)科技有限公司 | 李18927479189 |
北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
深圳市昌和盛利电子有限公司 | 朱生/李小姐0755-83679110 0755-23125986 |
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256-LBGA
IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA
- GRM31MR71C155KA35L
陶瓷
Murata Electronics North America
1206(3216 公制)
CAP CER 1.5UF 16V 10% X7R 1206
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Vishay Dale
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1812(4532 公制)
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